[发明专利]一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202111510032.2 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114242857A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 潘树林;靳彩霞;李刚;张文燕;徐金荣;阮钇 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王建宇 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、LED芯片，所述外延结构包括依次设置的GaN复合层、布拉格反射镜、N‑GaN层、应力释放层、量子阱层、P‑AlGaN层和P‑GaN层，所述布拉格反射镜由若干个周期的AlN层/GaN层组成，所述布拉格反射镜中AlN层和GaN层的生长温度相同，为900～1200℃。本发明的外延结构出光效率高，抗静电性能佳，布拉格反射镜表面裂纹少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设有 布拉格 反射 外延 结构 及其 制备 方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
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