[发明专利]去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法有效
| 申请号： | 202111515365.4 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114232072B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 新美光（苏州）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王丽莎 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法，属于单晶硅生长技术领域。去除硅熔体表面的异物的方法，包括：在籽晶与硅熔体熔接之前，在硅熔体表面形成一个近似带状暗色区域，持续监测硅熔体表面，若发现硅熔体表面存在异物，则使硅熔体表面的至少部分异物移动至暗色区域并沿着暗色区域移动至坩埚壁。其能够有效地将异物从硅熔体表面去除。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 体表 异物 方法 单晶硅 生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
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