[发明专利]同轴超辐射发光二极管自动耦合台搭载光谱分析仪的方法在审

专利信息
申请号: 202111517446.8 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN114061917A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 何威威;张润;吕小威;李同宁;游毓麒 申请(专利权)人: 武汉英飞华科技有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;B23P21/00
代理公司: 武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙) 42300 代理人: 王能德
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及超辐射发光二极管制造领域,且公开了一种同轴超辐射发光二极管自动耦合台搭载光谱分析仪,包括同轴SLD自动耦合台机柜,所述同轴SLD自动耦合台机柜内部的底端设置有自动耦合台主机,所述自动耦合台主机上方的两侧皆安装有光功率计和光谱分析仪。该发明,通过当光谱数据不合格时,按设定步长,自动增加驱动电流,但不超过设定的管芯最大工作电流,直至两项均合格进入封焊程序,其中增加驱动电流当输出功率超出最大上限时,需自动降低耦合效率,直至两项均合格进入封焊程序,同轴SLD自动耦合台搭载光谱分析仪后实现输出光功率和光谱特性同步测试,同步筛选,提高生产效率,根据光谱数据执行补偿程序,提高产品合格率。
搜索关键词: 同轴 辐射 发光二极管 自动 耦合 搭载 光谱分析 方法
【主权项】:
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