[发明专利]带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111517799.8 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN115548185A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 张庆芳;陈芊羽;张吉涛;卢温翔;曹玲芝 | 申请（专利权）人： | 郑州轻工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 高为宝 |
| 地址： | 450000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明属于光电子集成电路技术领域，具体涉及带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法。发光二极管包括由下至上依次设置的衬底层、驰豫层和有源区，有源区包括由下至上依次设置的n |
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| 搜索关键词： | 带有 应变 gesn 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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