[发明专利]一种溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111520899.6 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114195199B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘淑杰;乔靓;胡小颖;张维锦;安涛 | 申请（专利权）人： | 长春大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/46;C01G51/00;C01G51/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及钙钛矿钴基氧化物材料制备技术领域，尤其涉及一种溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法：将钙钛矿钴酸镧氧化物和还原性溶剂混合进行溶剂热反应，得到溶出型钙钛矿钴酸镧氧化物，所述钙钛矿钴酸镧氧化物的化学式为La |
||
| 搜索关键词： | 一种 溶出型钙钛矿钴酸镧 氧化物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春大学，未经长春大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111520899.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片级封装发光二极管
- 下一篇：一种接口性能分析方法、装置、设备及存储介质
