[发明专利]一种压可变电容在审
申请号: | 202111524392.8 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114220660A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 袁小庆;胡楼先 | 申请(专利权)人: | 深圳市鑫捷泰电子有限公司 |
主分类号: | H01G5/16 | 分类号: | H01G5/16;H01G5/01;H01G9/004;H01G9/008;H01G9/145 |
代理公司: | 深圳市中科天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44868 | 代理人: | 宋鹏跃;邹蓝 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开本发明公开的一种压可变电容,包括:彼此相对的两片衬底,分别为第一衬底和第二衬底以及之间的空隙;设置于所述第二衬底朝向所述第一衬底的敏感层,所述敏感层为导电多孔弹性薄膜,所述导电多孔弹性薄膜位于所述空隙内;设置于所述第一衬底上并背向所述第二衬底一侧的第一导电薄膜;设置于所述第二衬底上并背向所述第一衬底一侧的绝缘阻隔层;设置于所述绝缘阻隔层上并背向所述第二衬底的第二导电薄膜;所述导电多孔弹性薄膜由弹性材料、发泡材料和导电材料混合加热后固化获得。本发明的压可变电容解决了现有技术中可变电容的成本以及可控性应用性差的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 可变电容 | ||
【主权项】:
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