[发明专利]提升拼接工艺窗口容许度的方法在审
| 申请号： | 202111526095.7 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114236973A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李文亮;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提升拼接工艺窗口容许度的方法，包括：切割目标图形得到多个初始图形，各所述初始图形包括多个子图形；对各所述初始图形在切割线位置进行补偿处理以得到多个修正图形；将所述修正图形做在多块掩模板上；利用多个所述掩模板对晶圆依次进行曝光，其中，曝光在晶圆上的两两相邻的修正图形的切割线完全重合。本申请通过对初始图形直接在切割线位置直接进行补偿，然后利用补偿后的修正图形上的切割线重合来对晶圆进行曝光，避免了拼接位置的初始图形断线和偏移的情况，提升了拼接位置的初始图形的错位和相互远离的容许度，保证了拼接曝光工艺的准确度和可靠性，也改善了套刻精度，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 拼接 工艺 窗口 容许 方法 | ||
【主权项】：
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