[发明专利]每个半导体芯片具有双侧冷却的3D电源模块在审
申请号: | 202111533461.1 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN115132682A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | M·H·阿尔维;刘名;R·普拉萨德;A·M·科波拉 | 申请(专利权)人: | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/427 | 分类号: | H01L23/427;H01L23/367;H02M7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 任霄;万欣 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种电源模块,并且其包括第一堆叠层、第二堆叠层和第三堆叠层、热管和至少一个冷却板或散热器。第三堆叠层设置在第一堆叠层和第二堆叠层之间,并且包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的中心间隔层。热管至少部分地延伸到中心间隔层中。至少一个冷却板或散热器从第一堆叠层和第二堆叠层接收热能。第二堆叠层、第三堆叠层、热管和至少一个冷却板或散热器促进第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的双侧冷却。 | ||
搜索关键词: | 每个 半导体 芯片 具有 冷却 电源模块 | ||
【主权项】:
暂无信息
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