[发明专利]一种低应力氮化铝薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111534071.6 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114395751A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 门阔;刘皓;熊玉华;吴华亭;杨志民 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种低应力氮化铝薄膜的制备方法。所述方法将靶材和衬底装入磁控溅射设备，调节磁控溅射靶材法线方向与基片台法线方向的夹角X，靶基距为Y，在工作气体气氛下调节气体流量、溅射功率和溅射气压Z，稳定后进行氮化铝薄膜沉积，结束沉积后，降温获得低应力的C轴取向氮化铝薄膜；确保Z＝5.5e |
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| 搜索关键词： | 一种 应力 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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