[发明专利]一种降低dVS/dt噪声的GaN功率管自举电压控制系统在审
| 申请号： | 202111535475.7 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114244100A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 余思远;祝靖;陆兆俊;周琦;朱涛 | 申请（专利权）人： | 无锡安趋电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07;H02M1/44;H02M1/32 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种降低dVS/dt噪声的GaN功率管自举电压控制系统，利用自举充电电路实现自举轨道电压VB‑VS电压降低时及时给自举电容进行充电防止VB‑VS欠压，当驱动GaN器件过程中出现密勒平台现象，控制电路及时降低自举充电电路补充VB‑VS电压的效率，延长平台期的时间，降低dVS/dt的噪声。本发明解决了GaN功率上管Mn1持续导通所导致的自举轨道电压VB‑VS随着时间推移出现的欠压问题和Mn1导通过程中密勒平台期过短所导致的过高dV/dt噪声的问题，提高了驱动系统的稳定性，电路结构简单、实现难度低、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 dvs dt 噪声 gan 功率 管自 电压 控制系统 | ||
【主权项】：
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