[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供初始衬底；形成衬底和位于所述衬底上的且沿第一方向排布的若干有源区，所述第一方向平行于衬底表面，各所述有源区包括第一区以及分别位于所述第一区两侧的第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排布，且所述第二区的顶部表面低于所述第一区的顶部表面；在所述若干有源区表面形成若干浮栅；在相邻有源区之间形成隔离层，所述隔离层还位于部分所述浮栅侧壁。增加了所形成的器件的沟道宽度，有利于提高器件阈值电压稳定性，改善器件的短沟道效应、漏致势垒降低效应的影响，从而提高器件性能。