[发明专利]一种芯片巨量转移方法及芯片巨量转移设备有效
| 申请号： | 202111536055.0 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113937039B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 杨志军;白有盾;李瑞奇;彭皓 | 申请（专利权）人： | 佛山市华道超精科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 | 代理人： | 徐员兰 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市南海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种芯片巨量转移方法及芯片巨量转移设备，芯片转移方法包括：控制刺晶头以Ta为周期作第一间歇运动，控制晶膜以Ta为周期作第二间歇运动，其中，第一间歇运动包括刺晶头从芯片基板的上一个基座的上方移动至芯片基板的下一个基座的上方；第二间歇运动包括将晶膜上的下一个芯片移动至下一个基座的上方；其中，第一间歇运动和第二间歇运动均包括在指定的时间段Tp内，刺晶头、下一个芯片和下一个基座在XY方向上对齐且相对静止；在指定的时间段Tp内，通过Z轴电机驱动刺晶头将下一个芯片转移至下一个基座上。本申请采用刚柔复合运动技术，合成速度成间歇式运动方式，避免了短距快速启停的低效率和导轨磨损问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 巨量 转移 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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