[发明专利]基于多级磁场及多段喷管的等离子体生成装置及方法在审
| 申请号： | 202111536375.6 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114352494A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 杨广杰;范威;张志豪;曹亚文;李光熙;谭畅;韩先伟;方吉汉 | 申请（专利权）人： | 西安航天动力研究所 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体加速推进装置，具体涉及一种基于多级磁场及多段喷管的等离子体生成装置及方法。解决了单段喷管的等离子体生成装置不利于优化磁场位形，使等离子体射流的轨迹难以控制，导致比冲和推力不理想的技术问题。本发明装置包括工质供应分配单元和等离子体生成加速单元，工质供应分配单元包括由内到外同轴设置的工质分配器、第二绝缘体、过渡电极和第三绝缘体；等离子体生成加速单元包括n段喷管、n‑1段第一绝缘体、与喷管对应的加速器电场电源、与喷管对应的电磁线圈以及与电磁线圈对应的电磁场电源；n段喷管和n‑1段第一绝缘体形成喷管组件。本发明还提供了一种基于多级磁场及多段喷管的等离子体生成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多级 磁场 喷管 等离子体 生成 装置 方法 | ||
【主权项】：
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