[发明专利]版图结构、半导体器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111536910.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113921712A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张有志;沈安星;陈泽勇 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种版图结构、半导体器件结构及其制造方法，所述半导体器件结构包括形成于器件区的衬底上的互连结构，以及形成于冗余区的衬底上的电容结构，由于所述电容结构形成于所述冗余区的衬底上，从而可避免占用器件区的面积。所述电容结构中的第一电极层的部分的材质，与互连结构中的第一导电层的材质或接触层的材质相同，因此，所述第一电极层与所述第一导电层或所述接触层可在同一工艺步骤中形成，从而节省了掩膜。进一步的，所述电容结构中的第二电极层的部分材质与所述互连结构中的第二导电层的材质相同，所述电容结构中的第二电极层与所述互连结构中的第二导电层可在同一工艺步骤中形成，从而可进一步节省掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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