[发明专利]一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法在审
申请号: | 202111538090.6 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114369818A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 刘岗;徐伟;甄超;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C22/34 | 分类号: | C23C22/34;C23C22/48;C23C22/68;C23C22/83;C23C22/02;C30B7/10;C30B7/14;C30B33/00;C30B33/02;C30B29/16;C30B29/60;B82Y40/00 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光电转换与存储领域,具体为一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法。以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体,将其悬置于含有卤化物的乙二醇和水的混合溶液的上方,密封于反应釜中,放入烘箱中加热处理,待冷却至室温后取出基体,用去离子水清洗并烘干,得到基体支撑的金属氧化物纳米片单晶阵列薄膜;进一步通过在含氮、硫、磷、碳和硼元素之一或两种以上混合的气氛下热处理,得到基体支撑的金属氮化物、硫化物、磷化物、碳化物、硼化物以及不同元素掺杂的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜。从而,为基于金属化合物纳米片单晶阵列薄膜构筑高效光电转化与存储器件提供了丰富的材料储备和简易的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 化合物 纳米 片单晶 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111538090.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理