[发明专利]一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111538090.6 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN114369818A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 刘岗;徐伟;甄超;成会明 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C22/34 分类号: C23C22/34;C23C22/48;C23C22/68;C23C22/83;C23C22/02;C30B7/10;C30B7/14;C30B33/00;C30B33/02;C30B29/16;C30B29/60;B82Y40/00
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及光电转换与存储领域,具体为一种金属化合物纳米片单晶阵列薄膜的制备方法。以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体,将其悬置于含有卤化物的乙二醇和水的混合溶液的上方,密封于反应釜中,放入烘箱中加热处理,待冷却至室温后取出基体,用去离子水清洗并烘干,得到基体支撑的金属氧化物纳米片单晶阵列薄膜;进一步通过在含氮、硫、磷、碳和硼元素之一或两种以上混合的气氛下热处理,得到基体支撑的金属氮化物、硫化物、磷化物、碳化物、硼化物以及不同元素掺杂的金属化合物纳米片单晶阵列薄膜。从而,为基于金属化合物纳米片单晶阵列薄膜构筑高效光电转化与存储器件提供了丰富的材料储备和简易的制备方法。
搜索关键词: 一种 金属 化合物 纳米 片单晶 阵列 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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