[发明专利]一种正交晶系晶体材料及其制备方法

摘要

本发明公开一种正交结构MnxGey晶体及其制备方法，属于磁性材料的制备与应用领域，所述晶体的晶胞参数为所述晶体的空间群为Cmmm。本发明以单质金属元素锰、锗为原料，经原料混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程最终制得正交相MnxGey单晶，其中，x为1‑2，y为8‑9，制备方法简单，制备周期短，且证实为MnxGey晶体为单相，无杂质及孪晶。另外单晶材料矫顽场较小，可以在弱磁场下作为增加磁通密度使用的软磁材料，居里温度高达322K，磁化强度可达到10～30emu/g，具有起始磁导率和最大磁导率都很大的优点，具备应用于软磁材料的技术参数，适宜应用到低频电磁元件中。