[发明专利]一种二维材料异质结器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111540061.3 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114361021A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 林君浩;杨其朔;李沛岭 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C14/02;C23C14/30;C30B29/40;C30B29/46;C30B29/64;C30B33/00 |
| 代理公司： | 广东金泰智汇专利商标代理事务所(普通合伙) 44721 | 代理人： | 林松涛 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维材料异质结器件及其制备方法，属于二维材料领域。所述制备方法通过反应离子刻蚀机刻蚀基底后加工包埋电极，保证电极与衬底高度基本一致从而有效提高了表面平整度，有利于避免在制备多层异质结结构时异质结结构出现破裂，有利于形成更多层数的异质结结构，极大提高了多层异质结器件的成功率与器件质量。所述制备方法还通过热胀冷缩来控制干法转移过程中的贴合速率以降低贴合过程中对材料造成的破坏，极大提高了利用多层异质结器件的成功率与器件质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 异质结 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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