[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，在像素区的所述半导体衬底上形成有多层金属互联层，在各层金属互联层之间间隔有层间膜；在像素区的顶层金属互联层的表面上形成顶层层间膜；步骤二、定义出顶部沟槽的形成区域；步骤三、以像素区的顶层金属互联层的顶部表面为停止层，对像素区的顶层层间膜进行刻蚀形成顶部沟槽；步骤四、沉积形成第一盖帽层，第一盖帽层至少覆盖在顶部沟槽的底部表面上并作为像素区的保护层。本发明能提高像素区的顶部沟槽的刻蚀均匀性，从而能防止对形成于顶部沟槽中的彩色滤光片和微透镜的工艺产生不利影响，并从而提高器件性能。