[发明专利]高压LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111541459.9 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114242650A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 朱兆强;杨新杰;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/763;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LDMOS器件的制备方法，包括：在衬底上形成第一介质层、第一氮化硅层、第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层；采用热氧化炉管工艺在第二沟槽中的有源区侧面和底部形成隔离层；在第二沟槽中填充多晶硅内芯层以得到深沟槽隔离结构。本发明还提供一种高压LDMOS器件。本申请利用第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层作为掩膜，采用热氧化炉管工艺在第二沟槽中有源区侧面和底部形成晶体质量高的隔离层，这样可以避免有源区被高温误氧化，提高了器件的可靠性和良率。进一步的，本申请在第二沟槽中先形成隔离层，再将第二沟槽中剩余的空间都填充多晶硅内芯层以得到深沟槽隔离结构，可以提高器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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