[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法在审
| 申请号： | 202111542476.4 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114242855A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;C30B23/02;C30B25/06;C30B25/18;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 熊明 |
| 地址： | 330224 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管外延片及制备方法，通过对第一AlGaN层进行等离子体处理，等离子体能够与第一AlGaN层表面的N空位缺陷态表层反应形成晶体质量高结构稳定的等离子体处理层，弥补原有的第一AlGaN层上的N空位缺陷态表层质量较差的问题，进而提高外延层的晶体质量，进一步提高了发光效率；同时等离子体处理过程中，活跃状态的等离子体能够对衬底扩散上来的氧原子进行吸附，减少了第一AlGaN层上氧原子含量，避免氧原子延伸扩散到多量子阱层中，进一步提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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