[发明专利]一种功能化氮化硼改性的PVDF基纳米复合电介质薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111543241.7 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114196050A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 叶会见;胡书杰;徐立新 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学;平湖市浙江工业大学新材料研究院 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08L51/08;C08K9/04;C08K7/00;C08K3/38;C08F283/12;C08F210/02 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功能化氮化硼改性的PVDF基纳米复合电介质薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)合成HBPE‑g‑POSS共聚物；(2)利用HBPE‑g‑POSS共聚物超声剥离六方氮化硼得到氮化硼纳米片；(3)将P(VDF‑TrFE‑CFE)与氮化硼纳米片分别用溶剂分散均匀得到P(VDF‑TrFE‑CFE)分散液与氮化硼纳米片分散液，然后将氮化硼纳米片分散液加入P(VDF‑TrFE‑CFE)分散液中混合均匀，获得筑膜溶液，将混合溶液浇筑在平整的玻璃片上，烘干成膜，待溶剂蒸发，再进行退火，即得到功能化氮化硼改性的PVDF基纳米复合电介质薄膜。本发明制备得到的复合电介质薄膜具有高介电常数和低介电损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功能 氮化 改性 pvdf 纳米 复合 电介质 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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