[发明专利]基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202111544150.5 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114251999B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郭恒宇;胡志豪;胡陈果 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01B7/00 | 分类号： | G01B7/00;C23C14/35;C23C14/24;C25D7/00 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 郭云;肖秉城 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器及其制备方法。所述基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器，包括摩擦层和高阻抗电极；所述摩擦层和高阻抗电极层合设置；所述高阻抗电极设置有输出端口。基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器极大减少了信号通道数，可以用以传感触摸的位置，触摸速度等信息，也可以实现触摸的循迹传感功能，并同时具有较高的精度和空间分辨率，结构、制作工艺简单，性能优异且成本低廉，适合于实际应用和推广。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电阻率 材料 摩擦 位置 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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