[发明专利]一种高纯铟的提纯方法有效

专利信息
申请号: 202111544302.1 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN114231762B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 赵科湘;谢宗华 申请(专利权)人: 株洲科能新材料股份有限公司
主分类号: C22B58/00 分类号: C22B58/00;C22B9/02;C22B9/04
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 张伟
地址: 412000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种高纯铟的提纯方法,该方法是将氯化铵与3~4N粗铟通过卤化反应,得到一氯化铟;将一氯化铟进行氧化除杂,得到去杂一氯化铟;将去杂一氯化铟经过常压蒸馏并将一氯化铟蒸气通入水中进行歧化反应析出金属铟;将金属铟经过真空蒸馏,得到7N高纯铟。该方法对粗铟初始要求低,由3~4N级粗铟提纯获得6~7N级高纯铟,且该方法操作简单、能耗低、效率较高、无三废排出,对环境友好,提纯后的7N高纯铟满足导电涂层、激光二极管、红外探测器等半导体行业的要求,具有广泛的工业应用空间。
搜索关键词: 一种 高纯 提纯 方法
【主权项】:
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