[发明专利]面向医疗应用且与半导体工艺兼容的红外成像芯片有效
申请号: | 202111544939.0 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN113937121B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 刘伟;张杰;贾波;刘刚 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军火箭军工程大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B5/01;A61B5/00;H04N5/33;G01J5/48;G01J5/34 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 孟秀娟;黄健 |
地址: | 710025 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供面向医疗应用且与半导体工艺兼容的红外成像芯片,包括:P型半导体衬底,在半导体衬底内形成有两个第一N型区域,在两个第一N型区域的上方形成第一栅介质层,在第一栅介质层上形成有第一栅电极,在一个第一N型区域周围形成有第一源电极,在另一个第一N型区域周围形成有第一漏电极,在半导体衬底内形成第一衬底端;将第一源电极、第一漏电极以及第一衬底端连接后以形成固定电容晶体管的第一端,第一栅电极作为固定电容晶体管的第二端;第一栅电极连接幅值固定的电源端,电容晶体管的第一端与可变电容的第二端连接后与半导体衬底内的处理电路的输入端连接,固定电容晶体管的电容量等于可变电容的初始量,通过如此设置,实现信号读取。 | ||
搜索关键词: | 面向 医疗 应用 半导体 工艺 兼容 红外 成像 芯片 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的