[发明专利]一种GaN垂直MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111546236.1 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114220862A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张敬伟;贺峰;孙安信;李天运 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 梁栋 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了提供了一种GaN垂直MOSFET器件及制作方法，涉及半导体技术领域，所述MOSFET器件包括：GaN外延层、GaN衬底和电流扩展层；所述电流扩展层位于所述GaN外延层及GaN衬底之间，利用金属对电流的良好的导电能力，在外延层下方插入，将JFET区流出的电流横向扩散到整个漂移区，从而将电流均匀扩展到整个芯片上，拓宽了导电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 垂直 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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