[发明专利]三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111547163.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114335140A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 | 代理人： | 陈惠珠;苏维勤 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是关于一种三维隔离型超结结构场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、沟槽绝缘层、源极、漏极、金属栅极、P型超结柱以及三维绝缘层；P型超结柱以及漂移区沿着第一方向设置在衬底区上，三维绝缘层设置在P型超结柱及漂移区之间；基体区设置在漂移区上方，使得基体区的顶面与P型超结柱的顶面平齐；源区包括P型源区和N型源区；源区设置在基体区与P型超结柱上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区、源区和P型超结柱相接；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供的方案，能够有效降低晶体管的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 隔离 型超结 结构 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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