[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 202111547641.5 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114217510B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;刘凯鹏;罗云飞;牟帅;高平;赵泽宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本公开提供一种光刻方法，包括：在光刻基底表面依次制备叠设的功能膜层、反射式辅助成像膜层及第一光刻胶层。对第一光刻胶层进行光刻，得到第一光刻结构。以第一光刻结构为掩蔽层对反射式辅助成像膜层进行刻蚀，以将第一光刻结构的图形传递到反射式辅助成像膜层上。在反射式辅助成像膜层的图形上依次制备叠设的第二光刻胶层及透射式辅助成像膜层。以反射式辅助成像膜层的图形为掩模进行表面等离子体光刻，去除透射式辅助成像膜层后对第二光刻胶层进行显影，得到第二光刻结构。以第二光刻结构为掩蔽层对功能膜层进行刻蚀，以将第二光刻结构的图形传递至功能膜层，得到第三光刻结构。本公开的方法能够提升光刻的分辨力。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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