[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111547656.1 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114256132A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 田守卫;胡海天;章盟狄;李正阶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;C23C16/40;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底，以形成沟槽；使用第一填充工艺，向所述沟槽内填充氧化物，直到填充的深度比所述沟槽的深度低250埃～350埃时停止填充；使用第二填充工艺，向剩余的所述沟槽内填充氧化物，其中，所述第二填充工艺的射频功率小于所述第一填充工艺的射频功率。使用射频功率较大的填充工艺填充大部分深度的沟槽，以使得填充能力强，减少空洞的产生。使用射频功率较低的填充工艺填充剩余的沟槽，可以减少颗粒缺陷的产生。最终，在形成浅沟槽隔离结构后，降低了颗粒缺陷的数量，从而提高了产品的良率，也减少了高密度等离子机台的保养成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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