[发明专利]深沟槽顶部圆角形成的工艺方法在审
| 申请号： | 202111551659.2 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114267590A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 万宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/308;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽顶部圆角形成的工艺方法，该方法在同一工艺腔室内对晶圆进行原位刻蚀工艺，包括以下步骤：沟槽刻蚀步骤，以形成有图案化的光阻层为掩膜，对晶圆进行刻蚀，在晶圆上形成沟槽；副产物去除步骤，刻蚀去除晶圆的沟槽侧壁和光阻层的图案开口侧壁上的副产物；光阻层修饰步骤，对光阻层的图案开口侧壁进行横向刻蚀，以暴露出晶圆的沟槽顶部边角；圆角刻蚀步骤，对晶圆的沟槽顶部边角进行刻蚀，以形成圆角。本发明提供的深沟槽顶部圆角形成的工艺方法，不仅可以保证后续硅栅氧化层的生长质量以及多晶硅栅极的质量，而且可以简化工艺流程，降低制作成本，从而可以有效提升生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 顶部 角形 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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