[发明专利]高速MOSFET半桥栅驱动电路

摘要

本发明是一种用于功率器件栅驱动所需要的高速MOSFET半桥栅驱动电路，电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、振荡器电路、高效率电荷泵电路、低延时高压电平移位电路和高侧输出驱动电路。本发明采用高效率电荷泵电路，消除了驱动芯片外部的自举电容和充电二极管，减小芯片引脚的同时减小了芯片的使用复杂度；通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，提高整体驱动电路速度；根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；可以广泛应用于各类高功率密度电力电子系统中，特别是频率要求更高的宽禁带功率器件的栅驱动应用。