[发明专利]100偏晶向硅片的制备方法在审
| 申请号： | 202111560348.2 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114193640A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 宫龙飞;曹育红;符黎明 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种100偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：选择晶向为100的单晶硅圆棒；单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，θ角大于0°小于45°；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为100偏θ角。本发明能制备晶向偏离100一定角度的偏晶向硅片，且降低了偏晶向硅片的工艺难度，提升了硅棒的利用率，还降低了偏晶向硅片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 100 硅片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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