[发明专利]低温溅射、双节钙钛矿、铜铟镓硫硒薄膜太阳能电池在审
申请号: | 202111560375.X | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114447136A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 马给美 | 申请(专利权)人: | 项芳利 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/0445;H01L51/42;H01L31/18;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58 |
代理公司: | 南昌逸辰知识产权代理事务所(普通合伙) 36145 | 代理人: | 石聪灿 |
地址: | 418099 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种低温溅射、双节钙钛矿、铜铟镓硫硒薄膜太阳能电池,运用于光伏电池领域包括:基板、钼薄膜、薄膜层和硫化层;基板上镀钼薄膜,钼薄膜上镀薄膜层,薄膜层上表面镀硫化层;基板为钠钙玻璃基板,或带有钠的另类柔性基板;薄膜层为光伏铜铟镓硫硒薄膜层;薄膜层上表面设置p‑n结区域;硫化层为带有镉的硫化层或不带镉的硫化层;硫化层上还设有钙钛矿薄膜;硫化镉上镀有绝缘层氧化锌,绝缘层氧化锌上镀有氧化锌参铝,氧化锌参铝上表面镀上镍;镍上面设有铝膜,铝膜上面镀有保护镍,保护镍上面使用钠钙玻璃或另类柔性基板作为覆盖层;钙钛矿薄膜包括透明前电极层、二氧化钛支架层、钙钛矿吸收层、及透明螺二甲氧基苯基孔穴传送层。 | ||
搜索关键词: | 低温 溅射 双节钙钛矿 铜铟镓硫硒 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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