[发明专利]一种减少单晶叶片平台处杂晶缺陷的装置及其方法在审

专利信息
申请号: 202111561922.6 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN114130994A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 李小政;宋扬;王远斌;张凡;肖锡铭;王勇 申请(专利权)人: 成都航宇超合金技术有限公司
主分类号: B22D27/04 分类号: B22D27/04;B22C9/22;B22C9/04;C22C27/04
代理公司: 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 代理人: 陶红
地址: 610200 四川省成都市双*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种减少单晶叶片平台处杂晶缺陷的装置,包括水冷盘和设置于水冷盘上方的叶片模壳以及模壳中柱;所述叶片模壳上设置有叶片平台,所述叶片平台沿远离模壳中柱的一侧向靠近模壳中柱的一侧方向由高到低倾斜设置,且所述叶片平台的低处一侧与模壳中柱之间设置有反射层挡板,所述反射层挡板与所述叶片平台之间留有间隙;其可减少叶片平台尖端处的杂晶及疏松等缺陷,且不增加工艺操作难度,不改变原有模壳结构,也不增加额外热源或引晶条,结构简单,操作简便,大大降低制造成本。
搜索关键词: 一种 减少 叶片 平台 处杂晶 缺陷 装置 及其 方法
【主权项】:
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