[发明专利]原位SiC-BN(C)-Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 202111562121.1 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114105646B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李达鑫;彭浩;贾德昌;杨治华;蔡德龙;周玉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/575 | 分类号： | C04B35/575;C04B35/577;C04B35/573;C04B35/622 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1：h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt％Ti粉体，热压烧结。方法2：制备NB21混合粉，加立方硅粉、h‑BN粉和石墨，得SiBCN‑xwt％NB21粉体，热压烧结炉。方法3：TiN和TiB |
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| 搜索关键词： | 原位 sic bn ti 纳米 晶复相 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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