[发明专利]一种基于反向I-V特性的二极管漏电分析方法在审
| 申请号： | 202111563751.0 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114236340A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 黄永;王宇轩;陈财;陈兴;王东;吴勇;常娟雄;邵语嫣;刘晓磊;陈军飞;操焰;陆俊;季亚军;沈琪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 项磊 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I‑V特性的二极管漏电分析方法，包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I‑V特性测试，测得的不同温度下的反向I‑V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I‑V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。本发明能依据计算公式对多组I‑V特性曲线进行分段拟合分析，最后准确得出该二极管样品的漏电流运输机制，有助于技术人员改善工艺、优化产品应用，对提升产品的质量和可靠性有着较大的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反向 特性 二极管 漏电 分析 方法 | ||
【主权项】：
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