[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111564339.0 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114220854A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 葛孝昊;曾丹;林苡任;谢梓翔 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 石鸣宇;李曼 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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