[发明专利]一种梯度莫来石搭接的梯度陶瓷涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 202111565718.1 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114309583A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 邰召山 | 申请（专利权）人： | 兆山科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B22F1/10 | 分类号： | B22F1/10;B22F1/12;B22F10/28;C23C16/40;C23C28/00;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/5833 |
| 代理公司： | 上海恩凡知识产权代理有限公司 31459 | 代理人： | 汪贺玲 |
| 地址： | 101300 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种梯度莫来石搭接的梯度陶瓷涂层的制备方法，包括通过激光烧结技术在金属基体表面制备多孔结构的金属层，以硅源前驱体，采用化学气相渗透法在金属层表面引入莫来石，之后采用溶胶凝胶法制备陶瓷溶胶层，再经梯度烧结获得莫来石晶须搭接的陶瓷涂层。本发明在金属层与陶瓷层之间通过含量递增的莫来石晶须搭接，提高金属层与陶瓷层之间的结合紧密性，且因梯度增加的莫来石晶须，缩小陶瓷层与金属层之间的热膨胀系数差异，降低了两者之间的层间界面应力,高温下不易发生涂层脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 莫来石搭接 陶瓷 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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