[发明专利]一种多层阻变存储器的形成方法在审
| 申请号： | 202111566706.0 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114373863A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 左青云;卢意飞 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层阻变存储器的形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有下电极，在半导体衬底上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于半导体衬底上的第一阻变层；在第一阻变层上淀积第二氧含量的氧化物，形成位于第一阻变层上的第二阻变层，第二氧含量大于第一氧含量；在第二阻变层上淀积第一氧含量的氧化物，形成位于第二阻变层上的第三阻变层；对第三阻变层进行氧化处理，使得第三阻变层转换为第四阻变层，在第四阻变层上形成上电极；图形化上电极、第一阻变层、第二阻变层和第四阻变层，形成存储器。该方法可以提升淀积的阻变层材料的氧化物的可控性及可控制备，有利于提升阻变存储器特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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