[发明专利]基于栅下图形化的新型Fin结构GaN HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111566917.4 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114447113A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;安思瑞;宓珉瀚;王鹏飞;周雨威;张濛;侯斌;杨凌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于栅下图形化的新型Fin结构GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件包括：外延基片、源电极区、漏电极区、钝化层、欧姆金属、第二势垒层和栅电极；其中，所述外延基片自下而上包括衬底层、成核层、缓冲层和第一势垒层；所述第一势垒层位于所述缓冲层上方；源电极区和漏电极区位于缓冲层和第一势垒层两侧；所述欧姆金属位于所述源电极区和所述漏电极区的上方；所述钝化层覆盖在所述第一势垒层和所述欧姆金属上，且所述钝化层中间有预设栅槽区域；所述预设栅槽区域的深度等于或大于钝化层深度；所述第一势垒层上包括预设阵列凹槽区域；所述第二势垒层覆盖在所述预设阵列凹槽区域上；所述第二势垒层上覆盖有栅电极。本发明器件具有高电流、高功率输出能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 图形 新型 fin 结构 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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