[发明专利]一种低电容的单向ESD保护器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低电容的单向ESD保护器件，其P型材料正面设置P型倒掺杂区，P+扩散区，N+扩散区；N+扩散区上设置深能级杂质掺杂区；相邻两P+扩散区之间，以及相邻两N+扩散区之间，各设置介质层。介质层上分别设置阳极、阴极金属层。一种低电容的单向ESD保护器件的制造方法，包括以下步骤：一、制备P型材料。二、生长牺牲氧化层，正面设置P型倒掺杂区。三、正面设置P+扩散区，N+扩散区。四、正面光刻形成深能级掺杂区。五、去掉牺牲氧化层，淀积介质层，正面光刻形成阴极及阳极的接触孔区。六、正面光刻形成阳极金属层、阴极金属层。本申请实现低电容满足高速接口的需求，避免表面电压的提前击穿及电流泄放时的提前失效。