[发明专利]基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111574688.0 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114429992A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;曾培林;周久人;韩根全;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学杭州研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 311200 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管，主要解决现有技术栅控能力弱，器件性能差的问题，其包括：纳米线沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、控制栅极(4)、栅极隔离区(5)、编程栅极(6)、载流子控制层(7)和侧墙(8)，该源区和漏区分别位于圆柱状纳米线沟道的两端，载流子控制层和侧墙包裹在纳米线沟道的外侧，且侧墙位于载流子控制层的两端，厚度大于载流子控制层；该控制栅极、栅极隔离区和编程栅极从左到右分布在载流子控制层的外部，其中载流子控制层采用铁电材料，通过改变两个栅极的脉冲极性，使该层极化反转，实现不同类型的载流子掺杂。本发明增强了栅控能力，提高器件性能，可用于可编程逻辑阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 掺杂 拱形 不对称 可重构 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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