[发明专利]一种消除负阻效应的横向RC-IGBT器件结构

摘要

本发明提供了一种消除负阻效应的横向RC‑IGBT器件结构。该横向RC‑IGBT器件与在传统的横向IGBT器件相比，在器件的漂移区中心处存在氧化物隔离区域，且在该氧化物隔离区域内部存在一个低掺杂的硅区域。由于上述氧化物的隔离作用，在氧化物下方是传统的IGBT区域，因此可以正常导通正向导通模式的双极电流，且不存在负阻效应。在氧化物上方是续流二极管区域，因此可以正常导通反向导通模式的双极电流。通过调整氧化物上方和下方所占面积的比例，可以调整IGBT和续流二极管的性能分布。