[发明专利]STD芯片生产工艺在审
| 申请号： | 202111579230.4 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114300345A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 焦丹钧;钱林春;刘宗帅;王超 | 申请（专利权）人： | 江苏汀普微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/225;H01L21/228 |
| 代理公司： | 扬州启达知识产权代理事务所(普通合伙) 32563 | 代理人： | 周青;李楠 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州市邗江区高新技术开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
STD芯片生产工艺，属于半导体技术领域。其特征是，将硅片分成两组处理，硅片A的磷扩散、硅片B的硼扩散同时进行，再将硅片A和硅片B进行键合，以缩短生产周期。本发明利用键合工艺将N |
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| 搜索关键词： | std 芯片 生产工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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