[发明专利]晶圆无氧烘烤的水冷方法在审
| 申请号： | 202111580692.8 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114284177A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吕畅;庄启升;曾梓鑫 | 申请（专利权）人： | 上海利扬创芯片测试有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F25D17/02 |
| 代理公司： | 北京前审知识产权代理有限公司 11760 | 代理人： | 张波涛;尹秀峰 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了晶圆无氧烘烤的水冷方法，方法中，制备氨基硅烷改性溶液,其中，无氧化烤箱设备设有测量其内部温度的温度传感器以及设有水冷装置，晶圆放入无氧化烤箱设备中以第一预定温度进行无氧烘烤，预定时刻后，启示水冷装置冷却无氧化烤箱设备，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第二预定温度时，无氧烘烤完成，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第三预定温度时，关闭水冷装置以及取出晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆无氧 烘烤 水冷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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