[发明专利]一种利用原子层沉积法制备SnO2

摘要

本发明公开了一种利用原子层沉积法制备SnO2薄膜的方法，涉及SnO2薄膜制备技术领域，包括以下步骤，将清洗后的硅衬底放入原子层沉积设备的反应室中，并将反应室抽真空；在原子层沉积设备内进行原子层沉积循环，即可得到的SnO2薄膜；之后往真空反应室里面充入惰性气体，清扫过量锡源和反应副产物，并让硅衬底自然冷却至室温后取出；将沉积有SnO2的硅衬底放入管式炉中，经退火处理后，即可得到均匀的SnO2薄膜，具备了通过采用原子层沉积法制备SnO2薄膜，可通过反应周期精确控制薄膜厚度，并且反应过程温度低，对基底层损伤小，薄膜厚度精确可控，薄膜均匀性好，与其它沉积方法相比具有优异的成膜保型性、三维贴合性的效果。