[发明专利]氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池

摘要

本发明公开了一种氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池，制备方法包括：将金属薄膜放置于MOCVD系统腔体的靶台上，抽真空至＜10‑4Torr；通入氢气和氩气，气体流量50sccm‑100sccm，靶台温度800℃‑1100℃；停止通入氢气和氩气，通入甲烷，气体流量25sccm‑50sccm，反应时间0.5h‑3h；停止通入甲烷，在可见光照射下，通入氯气，气体流量30sccm‑70sccm，靶台温度550℃‑750℃，反应时间0.5h‑2h；停止通入氯气，以5℃/s‑20℃/s的速率降温至室温，获得所述的氯化石墨烯材料。该方法制备的材料宽光谱透明度高、面密度低、吸波性能好、环境适应性强。