[发明专利]RC IGBT以及生产RC IGBT的方法在审
| 申请号： | 202111586890.5 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114664942A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | F·D·菲尔施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了RC IGBT以及生产RC IGBT的方法。RC IGBT(1)包括IGBT区段(1‑21)和二极管区段(1‑22)。二极管区段(1‑22)中的多个二极管台面(18)中的至少一些被经由电连接到RC IGBT(1)的发射极端子(11)的第二阳极区(1062)耦合到漂移区(100)。第二阳极区(1062)与二极管区段(1‑22)中的沟槽(16)相比沿着竖向方向(Z)延伸得更深。 | ||
| 搜索关键词： | rc igbt 以及 生产 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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