[发明专利]一种光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202111587575.4 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114373812A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 张诗豪;李绿周 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明申请公开了一种光电探测器及其制备方法,光电探测器包括设置在衬底上的二硫化钼薄膜和外尔半金属薄膜,所述二硫化钼薄膜与所述外尔半金属薄膜之间设置有部分重叠区域,所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成异质结,所述二硫化钼薄膜与所述外尔半金属薄膜不重叠的两端分别设置金属电极。通过在衬底上制备二硫化钼薄膜和外尔半金属薄膜,并使二硫化钼薄膜与外尔半金属薄膜之间的部分重叠区域形成混合维度的异质结,实现了高响应性、高探测率的光电探测器;同时利用异质结中二硫化钼薄膜与外尔半金属薄膜的电势差形成内建电场,有效地将光生载流子进行分离,抑制了外尔半金属引起的暗电流,可广泛应用于光电子器件领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的