[发明专利]背面漏极引出的HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111591604.4 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116387351A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王黎明 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L23/367;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种背面漏极引出的HEMT器件及其制备方法，该器件包括：由下向上依次层叠的漏极电极、衬底、沟道层及势垒层；位于元胞区的源极、栅极及漏极；位于源极及栅极上方的源极电极及栅极电极；漏极互连金属柱，贯穿元胞区外的终端隔离区，一端与漏极电连接，另一端与漏极电极接触连接。通过漏极互连金属柱将漏极电极引到器件背面，形成源极电极及栅极电极形成在器件正面，漏极电极形成在器件背面的结构，该结构可形成芯片正反两面的散热通道，大大提高电极利用率；同时背面漏极电极的实现可以兼容已有的封装方式，更有利于HEMT器件的封装设计；再者，将漏极互连金属柱设置于元胞区外的终端隔离区不会在工艺过程中对元胞区产生损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 引出 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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