[发明专利]一种利用磁控溅射制备表面均匀且结合稳定的铋锑合金涂层方法在审
| 申请号： | 202111591854.8 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114250441A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 赵弘韬;李志刚;刘志鑫;韩福广;王艺;张楠;田波;李金凤 | 申请（专利权）人： | 黑龙江省原子能研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;B22F3/14;B22F9/04;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 李红媛 |
| 地址： | 150081 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种利用磁控溅射制备表面均匀且结合稳定的铋锑合金涂层方法，它涉及制备铋锑合金涂层的方法。本发明要解决现有同位素靶材制备技术复杂、制备方式单一、靶材表面涂层分布不均匀且厚度和结合力难以控制的问题。制备方法：一、制备铋锑靶；二、偏压清洗；三、直流磁控溅射。本发明用于利用磁控溅射制备表面均匀且结合稳定的铋锑合金涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁控溅射 制备 表面 均匀 结合 稳定 合金 涂层 方法 | ||
【主权项】：
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